HN1B04FE-GR,LXHF
HN1B04FE-GR,LXHF
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- HN1B04FE-GR,LXHF
- 商品编号
- C17488611
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 200 | |
| 特征频率(fT) | 80MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 工作温度 | - |
商品特性
- Q1特性：
- 高电压：VCEO = 50 V
- 高集电极电流：IC = 150 mA（最大值）
- 高hFE：hFE = 120至400
- 出色的hFE线性度：hFE(IC = 0.1 mA)/hFE(IC = 2 mA) = 0.95（典型值）
- Q2特性：
- 高电压：VCEO = -50 V
- 高集电极电流：IC = -150 mA（最大值）
- 高hFE：hFE = 120至400
- 出色的hFE线性度：hFE(IC = 0.1 mA)/hFE(IC = 2 mA) = 0.95（典型值）
- Q1、Q2共同特性：
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
低频放大器
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