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APT25GN120B2DQ2G

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT25GN120B2DQ2G
商品编号: C17488563
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

商品概述

这些IGBT采用最新的非穿通（NPT）场截止技术，具有非常短且低幅值的尾电流和低关断能量（Eoff）。沟槽栅极设计带来了出色的集电极 - 发射极导通电压（VCE(on)）性能。由于参数分布非常紧密且集电极 - 发射极导通电压（VCE(on)）温度系数略为正，易于并联。内置栅极电阻确保超可靠运行。低栅极电荷简化了栅极驱动设计并使损耗最小化。

商品特性

1200V NPT场截止
沟槽栅极：低集电极 - 发射极导通电压（VCE(on)）
易于并联
10μs短路能力
集成栅极电阻：低电磁干扰，高可靠性

应用领域

焊接、感应加热、太阳能逆变器、开关电源、电机驱动、不间断电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	NPT(非穿通型)；FS(场截止)
	耗散功率(Pd)	272W
	集射极击穿电压(Vces)	1.2kV
	集电极电流(Ic)	67A
	栅极阈值电压(Vge(th))	-

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	155nC
	开启延迟时间(Td(on))	22ns
	关断延迟时间(Td(off))	280ns
	导通损耗(Eon)	-
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)