IPL65R190E6AUMA1938
IPL65R190E6AUMA1938
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPL65R190E6AUMA1938
- 商品编号
- C17487451
- 商品封装
- VSON-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.649克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 151W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 98pF |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术,它是根据超结(SJ)原理设计的。650V CoolMOS E6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。由此生产的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势,同时还提供极快速且耐用的体二极管。极低的开关损耗、换相损耗和传导损耗与极高的耐用性相结合,使得谐振开关应用尤其更加可靠、高效、轻便且散热更佳。 ThinPAK是一种用于高压MOSFET的新型无引脚SMD封装。这种新封装的占位面积非常小,仅为64mm2(相比之下,D2PAK为150mm2),且高度极低,仅为1mm(相比之下,D2PAK为4.4mm)。显著更小的封装尺寸与业界领先的低寄生电感相结合,为设计师在追求功率密度的设计中提供了一种有效减小系统解决方案尺寸的新方法。
商品特性
- 减少电路板空间占用
- 提高功率密度
- 短换相回路
- 平滑的开关波形
- 产品易于使用
- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低
- 无铅镀层,无卤素
- 按照JEDEC(J - STD20和JESD22)标准,适用于工业级应用
应用领域
-例如PC电源、适配器、液晶电视、照明、服务器、电信等领域的PFC级、硬开关PWM级和谐振开关级。
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