BLP05H9S500PY
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@180mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
一款20 W的LDMOS射频晶体管，适用于HF和VHF频段的广播应用和工业应用。
商品特性
- 在频率为225 MHz、电源电压为50 V、静态漏极电流（IDq）为50 mA时的典型连续波性能：
- 平均输出功率 = 20 W
- 功率增益 = 27.5 dB
- 效率 = 70%
- 易于功率控制
- 集成ESD保护
- 出色的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计（10 MHz至500 MHz）
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
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