BLP05H9S500PY
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
适用于多种应用的500 W LDMOS功率晶体管,如工业、科学和医疗(ISM)领域、射频等离子照明以及423 MHz至443 MHz频率范围内的除霜应用。
商品特性
- 高效率
- 易于功率控制
- 出色的耐用性
- 集成静电放电(ESD)保护
- 专为工业、科学和医疗(ISM)频段(423 MHz至443 MHz)设计
- 出色的热稳定性
应用领域
- 用于423 MHz至443 MHz频率范围的连续波(CW)和脉冲连续波应用的射频功率放大器,如工业、科学和医疗(ISM)领域、射频等离子照明和除霜
- KP01.1152.11
- 850-006-20-615
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