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PJQ5844_R2_00001

2个N沟道耐压:40V 电流:45A 电流:10A

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品牌名称: PANJIT(强茂)
商品型号: PJQ5844_R2_00001
商品编号: C17484172
商品封装: DFN5060B-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

MwT - PH11F是一款AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）器件，其标称栅长为0.25微米，栅宽为2400微米，非常适合在高达12 GHz频率范围内需要高功率和高功率附加效率的应用。该器件在宽带或窄带应用中同样有效。该芯片采用可靠的金属系统制造，并进行了钝化处理，以确保出色的可靠性。

商品特性

在12 GHz时输出功率为33 dBm
在12 GHz时小信号增益为12 dB
在12 GHz时功率附加效率为45%
0.25×2400微米难熔金属/金栅极
适用于高功率和高功率附加效率应用
有带或不带通孔两种类型可选
芯片尺寸：780×345微米
芯片厚度：100微米

应用领域

商用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	45A
	导通电阻(RDS(on))	8mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	32W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	17nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	1.759nF@25V
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-