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PJQ5844_R2_00001

2个N沟道耐压:40V 电流:45A 电流:10A

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品牌名称: PANJIT(强茂)
商品型号: PJQ5844_R2_00001
商品编号: C17484172
商品封装: DFN5060B-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

MwT - PH11F是一款AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）器件，其标称栅长为0.25微米，栅宽为2400微米，非常适合在高达12 GHz频率范围内需要高功率和高功率附加效率的应用。该器件在宽带或窄带应用中同样有效。该芯片采用可靠的金属系统制造，并进行了钝化处理，以确保出色的可靠性。

商品特性

当VGS为10V、ID为15A时,RDS(ON) < 8mΩ
当VGS为4.5V、ID为8A时,RDS(ON) < 10.5mΩ
开关速度快
改善了dv/dt能力
反向传输电容低
符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
采用符合IEC 61249标准的环保模塑化合物

应用领域

商用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	45A
	导通电阻(RDS(on))	8mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	32W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	17nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	1.759nF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-