商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 17.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 600pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 5nF |
商品特性
- 小尺寸封装
- 高可靠性
- 安全的栅极驱动
- 短路耐受能力
- 低功率损耗
- RDS(on)的低温度依赖性
- 无需额外的续流二极管(FWD)
应用领域
- 工业逆变器、DC-DC转换器、电动汽车充电器、谐振电源
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