商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@20V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@3mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 17.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 600pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 5nF |
商品特性
- 低导通电阻
- 高速开关速度
- 易于并联使用
- 单对封装，符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用
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