商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
MwT - PH11F是一款AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)器件,其标称栅长为0.25微米,栅宽为2400微米,非常适合在高达12 GHz频率范围内需要高功率和高功率附加效率的应用。该器件在宽带或窄带应用中同样有效。该芯片采用可靠的金属系统制造,并进行了钝化处理,以确保出色的可靠性。
商品特性
- 在12 GHz时输出功率为33 dBm
- 在12 GHz时小信号增益为12 dB
- 在12 GHz时功率附加效率为45%
- 0.25×2400微米难熔金属/金栅极
- 适用于高功率和高功率附加效率应用
- 有带或不带通孔两种类型可选
- 芯片尺寸:780×345微米
- 芯片厚度:100微米
应用领域
-商用
相似推荐
其他推荐