商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.73pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 181pF |
商品概述
基于先进耐用技术(ART),这款2000 W LDMOS射频功率晶体管专为覆盖工业、科学和医疗(ISM)、广播和通信等广泛应用领域而设计。这款非匹配晶体管的频率范围为1 MHz至400 MHz。
商品特性
- 高击穿电压支持在漏源电压(VDS)高达53 V时进行E类操作
- 经测试可在最高漏源电压(VDS)为65 V的条件下工作
- 在30 V至65 V电压范围内进行特性表征,以支持广泛应用
- 集成双面静电放电(ESD)保护,支持C类操作,并可完全关断晶体管
- 出色的耐用性,无器件性能退化问题
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 等离子发生器
- 磁共振成像(MRI)系统
- 二氧化碳(CO2)激光器
- 粒子加速器
- 广播
- 调频(FM)广播
- 甚高频(VHF)电视
- 通信
- 非蜂窝通信
- 超高频(UHF)雷达
- MS3437C23N
- SIT1602BC-81-XXS-62.500000
- MDM-15SSB-6-A174
- 104JG1F
- 0668-0-15-01-30-14-10-0
- WISE-DK1510-MBNAE
- 103R-392J
- CMB1840-R096-000N0H0A57G
- CD431099C
- M80-5113422
- S3225
- CNY17F-2X007
- JB2835BWT-J-H50GA0000-N0000001
- 5520811802F
- 617612805
- MAX296CPA+
- S4924-104K
- XG4A0618R
- GCM216R71H152MA37D
- LY20-8P-DT1-P1E-BR
- TFC-130-12-F-D-K