DS1249Y-100#
2048k非易失SRAM
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- 商品型号
- DS1249Y-100#
- 商品编号
- C17481468
- 商品封装
- EDIP-32
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动存储功能;低电压自动写保护 |
商品概述
DS1249 2048k 非易失性SRAM是容量为2097152位的全静态非易失性SRAM,组织形式为262144字×8位。每个NV SRAM自带锂能源和控制电路,可持续监测VCC是否出现超出容差的情况。当出现该情况时,锂能源会自动接通,无条件启用写保护以防止数据损坏。可执行的写周期次数没有限制,微处理器接口不需要额外的支持电路。
商品特性
- 无外部电源时,数据保留时间最低为10年
- 断电期间数据自动保护
- 无限写周期
- 低功耗CMOS运行
- 读写访问时间为70 ns
- 首次通电前,锂能源处于电断开状态以保持能源新鲜度
- DS1249Y支持全范围±10% VCC工作范围
- DS1249AB可选±5% VCC工作范围
- 可选工业温度范围为-40℃至+85℃,标记为IND
- JEDEC标准32引脚DIP封装
- 14820A0BBSX13503KL
- TMC4671-TOSV-REF
- EA EVALEDIPTFT57
- SIT8008BC-23-33E-11.289600
- HCPL-3020-300E
- XPERDO-L1-0000-00803
- D38999/20ZB2AN
- R34130
- VN0102500382C
- D25K20KE
- TFM-135-02-L-D-A-K
- XPGBWT-P1-0000-00CE7
- SIT8208AI-33-25E-12.800000
- SG-8018CG 145.7500M-TJHPA0
- 293687-3
- NT04105F3950B1G
- QJ4025LH5TP
- RCS1005J365CS
- GCA.3S.255.LT
- S-5844A90CD-I4T1U3
- SIT8208AI-3F-18S-74.250000T


