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TSM110NB04DCR RLG

2个N沟道耐压:40V 电流:10A 电流:48A

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM110NB04DCR RLG
商品编号: C17481352
商品封装: PDFN-8(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.171克(g)

商品参数

商品概述

这款新一代MOSFET旨在将导通电阻RDS(on) 降至最低，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。

商品特性

低输入电容
快速开关速度
低输入/输出泄漏电流
生产过程中进行100%非箝位电感开关（UIS）测试 — 确保终端应用更可靠、更耐用
完全无铅且完全符合RoHS标准
无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

电源管理功能-模拟开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	48A
	导通电阻(RDS(on))	17.2mΩ@7V,8A
	耗散功率(Pd)	48W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	25nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.506nF
	反向传输电容(Crss)	75pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	144pF