商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 24 |
商品特性
- 内置偏置电阻
- 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路(见内部电路)
- 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,还具有完全消除寄生效应的优点
- 操作时只需设置开/关条件,使电路设计变得容易
- 互补NPN类型:DTC114W系列
- 无铅/符合RoHS标准
应用领域
- 开关电路
- 反相器电路
- 接口电路
- 驱动电路
- SIT8208AC-32-18E-66.660000
- EJH-115-01-S-D-TH-27
- IS43TR16128D-125KBL-TR
- SIT8208AC-21-25E-16.000000
- SIT8256AI-21-25S-156.253906
- 636M5C027M00000
- LCAX4/0-56F-X
- 150-10-316-00-106101
- 621-M09-360-BN1
- 0417910859
- RD25S10000/AA
- US1G-M3/61T
- 25QHM53D0.25-20.8125
- DBMAMT25SNM
- 25QHM53C0.125-66.700
- SG-8018CE 25.998450M-TJHPA0
- DD44M20JV3S
- FWLF1632R24-C
- 346-240-318
- SIT1602BC-13-28S-60.000000
- SIT8208AI-2F-33S-66.660000Y

