MSCSM120VR1M16CTPAG
MSCSM120VR1M16CTPAG
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MSCSM120VR1M16CTPAG
- 商品编号
- C17480161
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 171A | |
| 耗散功率(Pd) | 728W |
商品概述
MSCSM120VR1M16CTPAG器件是一款三电平维也纳整流器1200V、171A碳化硅(SiC)功率模块。
商品特性
- SiC功率MOSFET:低导通电阻,高温性能
- SiC肖特基二极管:零反向恢复,零正向恢复,温度无关的开关特性,正向电压VF具有正温度系数
- 极低的杂散电感
- 内置用于温度监测的热敏电阻
- 开尔文源极,便于驱动
- 采用氮化铝(AlN)基板,提高热性能
应用领域
- 功率因数校正
- 开关模式电源
- 不间断电源
- RCS1608F330CS
- SIT1602BI-33-XXS-33.000000
- SIT8209AC-81-18S-125.000000
- D3W3P36A6RL12LF
- SG-8018CA 27.2000M-TJHSA0
- CTH6VF-271K
- RSF1A-331-JTW
- SIT1602AI-32-18E-24.576000
- NXRT15WF104FA1B030
- SIT8008BC-23-33E-16.670000
- 7520-0-15-15-16-14-10-0
- 660-024M09H5-01
- 3QHM572D0.5-38.707
- IPL1-125-01-S-D-RA-P
- TS-211-SW11
- SG-8018CE 63.7000M-TJHSA0
- 550-200M1R3K1D2-04
- RFI21-13
- SCP9WTJ5HEL1WUGF6E
- SIT9365AC-4E2-28N200.000000
- MS3437C136N

