- 引脚图
- 焊盘图
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APT40GP90BG
APT40GP90BG
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT40GP90BG
- 商品编号
- C17478474
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 543W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | - | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.9V@15V,40A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 16ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 75ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低导通损耗
- 安全工作区（SSOA）额定
- 低栅极电荷
- 超快尾电流关断
- 516-090-520-602
- DD26S200E30
- BPSC001011516R8M00
- 628-43W2224-7T2
- 510ACA101M750CAG
- 334-40-103-00-010000
- LFSPXO068250REEL
- SFH41-PPVB-D17-ID-BK
- 660-009M08D2.5-102
- SXO75L3D071-250.000M
- SG-8018CG 4.8000M-TJHSA3
- VPDR202W103M1GV001E
- RS1MFS MWG
- SI52258-A-EVB
- 622-037-368-032
- 00WC089-C
- 0134-0-15-01-32-27-04-0
- 5530112200F
- 9036250000
- 660-006F12D3.5-237B
- 680M3W3K103L201