- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN1150UFL3-7
2个N沟道 耐压:12V 电流:2A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1150UFL3-7
- 商品编号
- C17476197
- 商品封装
- X2-DFN1310-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 115pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 仅 1.3 mm^2 的占位面积
- 超薄封装 - 0.35mm 厚度
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 超小型表面贴装封装
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
-电机控制-电源管理功能-背光照明
- SIT8208AC-2F-18S-18.432000Y
- SBH31-NBPB-D47-SP-BK
- 4-641229-3
- 1623378
- 67F100-0360
- JANTXV1N6622U/TR
- UFS350G/TR13
- SIT8208AC-3F-28E-4.096000X
- GCM2195C2A911JA16D
- TFM-130-03-L-D-LC
- MWDM2R-51P-6E5-18B-464
- FFA.0S.742.CNT
- XLL535A00.000000I
- CNY17-2X017T
- PLUGLOCK25WR
- SG-8018CA 32.2400M-TJHSA0
- HCSP-1BS-0200
- 4650-7005
- 1532209-2
- SPMWH1221FQ5GBT0SB
- XBDAWT-00-0000-00000U8E8