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DMN1150UFL3-7
2个N沟道 耐压:12V 电流:2A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1150UFL3-7
- 商品编号
- C17476197
- 商品封装
- X2-DFN1310-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 185mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 115pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 仅 1.3 mm^2 的占位面积
- 超薄封装 - 0.35mm 厚度
- 低栅极阈值电压
- 快速开关速度
- 超小型表面贴装封装
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
-电机控制-电源管理功能-背光照明
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