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UM6K1NA-TP
2个N沟道 耐压:30V 电流:500mA
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- UM6K1NA-TP
- 商品编号
- C17475669
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品概述
ARF300是一款采用高效无凸缘封装的N沟道射频功率晶体管。它专为窄带ISM和MRI功率放大器中的高压操作而设计，工作频率高达45MHz。该晶体管与ARF301 P沟道射频功率晶体管匹配良好，这对晶体管非常适合用于桥式电路配置。
商品特性
- 用于低导通电阻RDS(ON)的高密度单元设计
- 单封装双MOSFET
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 潮湿敏感度等级1级
- 无卤素,“绿色”器件
- 无铅涂层/符合RoHS标准(“P”后缀表示符合RoHS标准,详见订货信息)
应用领域
- 窄带ISM功率放大器
- MRI功率放大器
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