商品参数
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| 功能特性 | - |
商品概述
PE4259 UltraCMOS射频开关设计用于覆盖10 MHz至3000 MHz的广泛应用范围。这款反射式开关将板载CMOS控制逻辑与低电压CMOS兼容控制接口集成在一起,可使用单引脚或互补控制输入进行控制。使用标称+3伏电源电压时,典型输入1dB压缩点可达+33.5 dBm。PE4259采用pSemi的UltraCMOS工艺制造,这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅(SOI)技术的专利变体,兼具砷化镓的性能和传统CMOS的经济性与集成度。
商品特性
- 单引脚或互补CMOS逻辑控制输入
- 低插入损耗:
- 1000 MHz时为0.35 dB
- 2000 MHz时为0.5 dB
- 1000 MHz时隔离度为30 dB
- 高ESD耐受能力,达2 kV HBM
- 典型输入1 dB压缩点为+33.5 dBm
- 最低电源电压为1.8V
- 超小型SC - 70封装
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