商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 1.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 4ns | |
| 下降时间(tf) | 5.5ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 使能关断 |
应用领域
- 开关模式电源供应器
- 太阳能逆变器
- 电机控制与驱动
- 不间断电源供应器
- 高功率D类放大器
- 车载充电器
- 电池管理系统
- 充电站
- VS702013
- QEDB102Q1R1A1GV001E
- 0022233030
- 86130142113385E1LF
- SIT9365AI-2E3-30E155.520000
- 511ECA250M000BAGR
- MLEAWT-H1-R250-0001E6
- ATP15-4P-BM02BLK
- SCRH127/LD-150
- XTEAWT-E0-0000-00000BJE1
- 4634-7300
- EL817-G
- 1332-BK
- S4924R-271J
- 511NCBM100000BAG
- VUE-2156-FD45MX-N4
- 102557-4
- 34-6625-21
- DD15S10ANT2X/AA
- SIT8256AC-G2-28E-156.257812Y
- FTLX1672M3BNL-C