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UCC21737QDWRQ1

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描述: UCC21737-Q1是一款单通道电流隔离式栅极驱动器，专为最高2121V直流工作电压的碳化硅（SiC）MOSFET和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）而设计，具备先进的保护特性、同类最佳的动态性能和高可靠性。该器件的源极和灌极峰值电流最高可达±10A。输入侧与输出侧采用二氧化硅（SiO₂）电容隔离技术，支持最高1.5kVRMS的工作电压，具有12.8kVPK的浪涌抗扰度，隔离栅寿命超过40年，同时提供较低的通道间偏斜和大于150V/ns的共模噪声抑制比（CMTI）。UCC21737-Q1具备先进的保护特性，如快速过流和短路检测、支持分流电流检测、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源欠压锁定（UVLO），可优化碳化硅和IGBT的开关性能和可靠性。主动开关控制（ASC）功能可在系统故障时强制接通功率开关，进一步提高驱动器的通用性，简化系统设计工作、减小系统尺寸并降低成本。
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: UCC21737QDWRQ1
商品编号: C17471895
商品封装: SOIC-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.54克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	隔离式栅极驱动器
	隔离电压(Vrms)	1500
	负载类型	IGBT；MOSFET
	通道数	1
	输入侧工作电压	3V~5.5V
	拉电流(IOH)	10A
	灌电流(IOL)	10A
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)

商品概述

UCC21737-Q1是一款单通道电流隔离式栅极驱动器，专为最高2121V直流工作电压的碳化硅（SiC）MOSFET和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）而设计，具备先进的保护特性、同类最佳的动态性能和高可靠性。该器件的源极和灌极峰值电流最高可达±10A。输入侧与输出侧采用二氧化硅（SiO₂）电容隔离技术，支持最高1.5kVRMS的工作电压，具有12.8kVPK的浪涌抗扰度，隔离栅寿命超过40年，同时提供较低的通道间偏斜和大于150V/ns的共模噪声抑制比（CMTI）。 UCC21737-Q1具备先进的保护特性，如快速过流和短路检测、支持分流电流检测、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源欠压锁定（UVLO），可优化碳化硅和IGBT的开关性能和可靠性。主动开关控制（ASC）功能可在系统故障时强制接通功率开关，进一步提高驱动器的通用性，简化系统设计工作、减小系统尺寸并降低成本。

商品特性

5.7kVRMS单通道隔离式栅极驱动器
通过AEC-Q100认证，结果如下：
- 器件温度等级0：环境工作温度范围为-40℃至+150℃
- 器件人体模型（HBM）静电放电（ESD）分类等级为3A
- 器件带电器件模型（CDM）静电放电（ESD）分类等级为C6
提供功能安全质量管理文档，有助于功能安全系统设计
适用于最高2121Vpk的碳化硅MOSFET和IGBT
最大输出驱动电压（VDD - VEE）为33V
驱动强度为±10A，采用分离式输出
最小共模瞬态抗扰度（CMTI）为150V/ns
快速过流保护响应时间为270ns
外部有源米勒钳位
故障发生时900mA软关断
隔离侧的ASC输入可在系统故障时接通功率开关
过流时发出告警信号FLT，并可通过RST/EN复位
RST/EN引脚实现快速使能/禁用响应
可抑制输入引脚上小于40ns的噪声瞬变和脉冲
12V VDD欠压锁定（UVLO）和-3V VEE欠压锁定（UVLO），RDY引脚指示电源正常
输入/输出具备最高5V的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度
最大传播延迟为130ns，最大脉冲/通道偏斜为30ns
SOIC-16 DW封装，爬电距离和电气间隙大于8mm
工作结温范围为-40℃至150℃

应用领域

电动汽车牵引逆变器
车载充电器和充电桩
混合动力/电动汽车直流-直流转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	上升时间(tr)	33ns
	下降时间(tf)	27ns
	传播延迟 tpLH	130ns
	传播延迟 tpHL	130ns
	静态电流(Iq)	3mA
	CMTI(kV/us)	150kV/us
	驱动侧工作电压	13V~33V