- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMV120ENEA215
60 V, N沟道沟槽MOSFET
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- 描述
- N沟道增强模式场效应晶体管，采用SOT23封装，使用沟槽MOSFET技术。
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- PMV120ENEA215
- 商品编号
- C17471694
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他接口 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
- ZST-113-02-G-D-615
- 97 99 351
- DMC-MD 84 W 01 A1397
- 09654626815
- 660-024M11H4-01
- AIC16-12S
- MPI-250-48
- SIT8208AI-2F-25S-27.000000Y
- SIT9365AC-2E2-30E322.265625
- 667-129NF15
- SG-8018CA 1.1389M-TJHPA0
- SIT1602BC-32-30E-14.000000
- SQG32P2B271N-312.500M
- 660-031NF17N
- 628-17W2222-2NA
- M6P-CAS1-12ER
- AB-EZP06B-A3
- 630B022NF20B
- SG-8018CA 143.9650M-TJHPA0
- 171-050-203L011
- GCM1555G1H5R2BA16D