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PMV120ENEA215

60 V, N沟道沟槽MOSFET

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描述
N沟道增强模式场效应晶体管,采用SOT23封装,使用沟槽MOSFET技术。
品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
PMV120ENEA215
商品编号
C17471694
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录其他接口
属性参数值
工作温度-55℃~+150℃