PMV120ENEA215
60 V, N沟道沟槽MOSFET
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- 描述
- N沟道增强模式场效应晶体管，采用SOT23封装，使用沟槽MOSFET技术。
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- PMV120ENEA215
- 商品编号
- C17471694
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他接口 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
60 V, N沟道沟槽MOSFET
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他接口 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |