NTE5429
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 600V | |
| 通态电流(It) | 7A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 25mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 1.5V | |
| 保持电流(Ih) | 50mA | |
| 工作温度 | -40℃~+110℃ |
商品特性
- 重复峰值反向电压（Tc = +110°C），VRRM：NTE5427为200V，NTE5428为400V，NTE5429为600V
- 重复峰值断态电压（Tc = +110°C），VDRM：NTE5427为200V，NTE5428为400V，NTE5429为600V
- 均方根通态电流（Tc = +80°C，导通角为180°），IT(RMS)为7A
- 峰值浪涌（非重复）通态电流（50或60Hz下一个周期），ITSM为80A
- 峰值门极触发电流（3μs最大），IGTM为1A
- 峰值门极功率耗散（IGT ≤ IGTM），PGM为20W
- 平均门极功率耗散，PG(AV)为500mW
- 工作温度范围，Topr为 -40°C至 +110°C
- 储存温度范围，TStg为 -40°C至 +150°C
- 典型热阻，结到外壳，RthJC为2.5°C/W