PJS6830_S1_00001
2个N沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJS6830_S1_00001
- 商品编号
- C17469832
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 92pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 25pF |
商品概述
MwT-9F是一款砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）器件，其标称栅极长度为0.25微米、栅极宽度为750微米，非常适合需要中等线性功率的应用。它可作为高功率通信放大器或宽带放大器的驱动级，轻松实现匹配。所有芯片均采用氮化硅（SiN）进行钝化处理。
商品特性
- 当VGS为4.5V、ID为2.0A时,RDS(ON)小于150mΩ
- 当VGS为2.5V、ID为1.5A时,RDS(ON)小于215mΩ
- 当VGS为1.8V、ID为0.5A时,RDS(ON)小于400mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等特别设计
- 静电放电保护2KV HBM
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的环保模塑料
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