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EM6J1T2R
2个P沟道 耐压:20V 电流:200mA
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- 描述
- 特性：两个P沟道MOSFET封装在EMT6中。 高速开关。 超低电压驱动（1.2V驱动）。 内置G-S保护二极管。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- EM6J1T2R
- 商品编号
- C17469653
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V,200mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 115pF@10V | |
| 工作温度 | - |
优惠活动
购买数量
(8000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个8000个/圆盘
总价金额：
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