- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
EM6J1T2R
2个P沟道 耐压:20V 电流:200mA
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- 描述
- 特性：两个P沟道MOSFET封装在EMT6中。 高速开关。 超低电压驱动（1.2V驱动）。 内置G-S保护二极管。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- EM6J1T2R
- 商品编号
- C17469653
- 商品封装
- SOT-563(SOT-666)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 115pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品特性
- 两个P沟道MOSFET采用EMT6封装。
- 高速开关。
- 超低电压驱动(1.2V驱动)。
- 内置栅源保护二极管。
应用领域
- 开关
- 09675158715
- GCM1885G1H2R2BA16D
- SIT1602BC-83-18E-4.000000
- XBHAWT-00-0000-000LT50E4
- S6GR
- 25QHM53C2.0-162.000
- SG-8018CG 65.3600M-TJHSA0
- SIT8208AC-GF-25E-74.250000X
- RCS1608J184CS
- 151-10-310-00-011000
- SSF-LXH303YD
- 103R-103KS
- 1N3274R
- 655V156G3I2T
- TFM-120-31-F-D-A
- QJ4016RH3TP
- D225K5K0
- 0231A320-C
- HT3F6AS
- 0878315554
- SDB-09PMMP-SR8001