ALD910028SALI
2个N沟道
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- 品牌名称
- ALD
- 商品型号
- ALD910028SALI
- 商品编号
- C17467559
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10.6V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.82V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
SAB MOSFET采用经过生产验证的EPAD技术制造,旨在解决串联连接的超级电容器的电压和漏电流平衡问题。通过在每个超级电容器组两端连接一个或多个器件的组合,可以对串联连接的超级电容器进行漏电流平衡,以防止过电压。 ALD810028为四个SAB MOSFET器件中的每一个提供了一组独特、精确的工作电压和电流特性,可用于平衡多达四个串联连接的超级电容器。ALD910028为其两个SAB MOSFET器件中的每一个都有一组独特的精确工作电气特性,适用于多达两个串联连接的超级电容器。 每个SAB MOSFET在Vt模式下都具有精确的栅极阈值电压。不同的VIN会产生输出电流IOUT = IDS(ON)特性,并形成一个有效可变电阻,其阻值随VIN呈指数变化。当这个VIN连接到串联的每个超级电容器两端时,可将每个超级电容器的电压和电流平衡在其限制范围内。 当连接在超级电容器两端时,ALD810028/ALD910028的导通电阻的电压相关特性可有效控制超级电容器两端的过电压上升。在串联连接的超级电容器组中,连接在这些超级电容器两端的SAB MOSFET会呈现互补的反向电流水平,除了超级电容器自身产生的漏电流外,几乎不会产生额外的漏电流。
商品特性
- 使用简单且经济
- 工厂精密微调
- 自动调节和平衡漏电流
- 有效实现超级电容器充电平衡
- 单个IC封装可平衡多达4个超级电容器
- 可平衡2节、3节、4节串联的超级电容器
- 可扩展至更大的超级电容器组和阵列
- 几乎零额外漏电流
- 在额定电压以下0.3V时零漏电流
- 可平衡串联和/或并联连接的超级电容器
- 漏电流是电池电压的指数函数
- 有源电流范围从< 0.3nA到> 1000μA
- 始终处于工作状态,响应时间快
- 最大限度减少漏电流和功耗
应用领域
-串联超级电容器单元的漏电流平衡-能量收集-带超级电容器输出的长期备用电池-选定电压下的零功耗分压器-匹配的电流镜和电流源-零功耗模式下的最大电压限制器-可扩展的超级电容器组和阵列
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