CPH6413-TLD-E

ALD212902精密增强型N沟道EPAD MOSFET阵列采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行精密匹配。这些双片式器件是ALD110902 EPAD MOSFET系列的增强型产品，具有更高的正向跨导和输出电导，特别是在极低电源电压下。 ALD212902适用于低电压、低功耗小信号应用，其特点是具有精密的+0.20V阈值电压，这使得输入/输出信号参考极低工作电压范围的电路设计成为可能。使用这些器件，可以构建多级级联电路，使其在极低的电源/偏置电压水平下工作。例如，使用这些器件已成功构建了一个电源电压低于0.2V的微功耗输入放大器级。 ALD212902 EPAD MOSFET具有出色的匹配对电气特性，栅极阈值电压VGS(th)精确设置为+0.20V ± 0.010V，在VDS = 0.10V时，IDS = +20μA，典型失调电压仅为±0.002V（2mV）。它们基于单块芯片构建，还具有出色的温度跟踪特性。这些精密器件作为设计组件用途广泛，适用于各种模拟小信号应用，如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。它们在有限工作电压应用中表现也很出色，如极低电平电压钳位和微功耗常通电路。 除了精密匹配对电气特性外，每个单独的EPAD MOSFET还具有良好控制的制造特性，使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。这些器件设计用于实现最小失调电压和差分热响应，可用于+0.1V至+10V（±0.05V至±5V）供电系统中的开关和放大应用，在这些应用中需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。当VGS > +0.20V时，器件呈现增强型特性；而当VGS < +0.20V时，器件在亚阈值电压区域工作，呈现传统的耗尽型特性，具有良好控制的关断和亚阈值电平，其工作方式与标准增强型MOSFET相同。 ALD212902具有高输入阻抗（2.5 × 10^10Ω）和高直流电流增益（>10^8）。在25°C时，漏极输出电流为30mA，输入电流为300pA的情况下，直流电流增益的示例计算为30mA / 300pA = 100,000,000，这相当于约八个数量级的动态工作电流范围。

• 低导通电阻
• 超高速开关
• 2.5V驱动
• N沟道硅MOSFET

• 低开销电流镜和电流源-零功耗常通电路-能量收集电路-极低电压模拟和数字电路-零功耗故障安全电路-备用电池电路和电源故障检测器-极低电平电压钳位-极低电平过零检测器-匹配的源极跟随器和缓冲器-精密电流镜和电流源-匹配的电容式探头和传感器接口-电荷检测器和电荷积分器-高增益差分放大器输入级-匹配的峰值检测器和电平转换器-多通道采样保持开关-精密电流倍增器-分立匹配模拟开关/多路复用器-微功耗分立电压比较器