- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMPH6050SPDQ-13
60V双P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 此MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMPH6050SPDQ-13
- 商品编号
- C17466691
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合AEC-Q101标准,并提供生产件批准程序(PPAP)支持。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,非常适合高温环境
- 100%非钳位电感开关,确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻RDS(ON),最大限度降低功率损耗
- 低栅极电荷Qg,最大限度降低开关损耗
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,是“绿色”器件
- DMPH6050SPDQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
-发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器
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