UPA1770G-E1-A
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- UPA1770G-E1-A
- 商品编号
- C17465964
- 商品封装
- SOIC-8-175mil
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 59mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 325pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- N沟道MOSFET
- 无卤
应用领域
- 标准应用:计算机、办公设备、通信设备、测试测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备和工业机器人。
- 高品质应用:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备以及非专门用于生命支持的医疗设备。
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