商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 3V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 15mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | P沟道 |
商品概述
该有引线器件提供高可靠性等效型号,适用于高可靠性应用场景。此外,还提供众多其他产品以满足更高或更低功率的电压调节应用需求。
商品特性
- 表面贴装型号,等效于JEDEC注册的2N5116。
- 提供符合RoHS标准的版本(仅商业级)。
应用领域
- TO-18封装
- 轻量化设计
- 02-6625-21
- MAX6697EP34+T
- DMC-M 08-16 BNE
- SIT8208AI-8F-25E-74.176000X
- SIT8208AI-8F-28E-10.000000T
- 660-005ZR10H4-01
- MS3437A32C
- SIT1602BC-81-28N-40.000000
- ESFP-GE-SX-MM850-C
- MS27488-4-3
- LVDS83BTSSOPEVM
- XLH736059.000000I
- LCBX4-14F-L
- 0569-0-15-15-21-14-10-0
- SIT8924BA-12-18N-12.000000
- 182-037-113R181
- 630-015-240-015
- SIT8208AI-GF-28E-66.660000Y
- EC2600ETTTS-50.000M TR
- SIT1602BC-21-XXE-4.000000
- GCM1555G1H1R0CA16J

