商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 400W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术-超低导通电阻Rss(ON)-具备ESD保护,以提升电池性能和安全性-采用共漏极配置,简化设计-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- 在额定输出功率下进行100%耐用性测试
- 低热阻
- 低Crss — 在VDS = 50 V时典型值为7.0 pF
应用领域
- 电池保护开关-移动设备电池充放电
其他推荐
- SG-8018CE 13.5168M-TJHSA0
- 5-1478996-1
- LA G6SP.02-7E6F-24-G3R3-140-R18
- 140-511-415-001
- SIT8208AI-G3-18E-38.000000X
- 075-0322-024
- CHT70C10002MNT
- 4614-0-31-01-47-01-04-0
- 163A14429X
- RD37M1S50V3Z
- CMB1825-0000-000N0H0A22G
- 3QHM572C2.0-2.000
- DTA115EMT2L
- TMPA 1707SP-330MN-D
- JAN1N5307-1
- DAMM-15S-S
- AWVS006060282R7M00
- 516-056-520-512
- 511R-36H
- 3QHM572C1.5-15.624
- 667-217-M-H1701-6