商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 110V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@3.75V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 103pF |
商品概述
适用于2.9 GHz至3.4 GHz频率范围S波段雷达应用的单端400 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- 在225 MHz频率、50 V电源电压和900 mA IDq条件下的典型连续波性能:
- 平均输出功率 = 300 W
- 功率增益 = 27.2 dB
- 效率 = 70 %
- 易于功率控制
- 集成ESD保护
- 出色的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计(HF和VHF频段)
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用
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