商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 4V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 50mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 12pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| FET类型 | - |
- NTE5530
- SIT8208AI-8F-33S-28.636300Y
- KD13.1132.107
- 1N6305
- 6-103956-0
- DD15M1S0V50
- SIT9365AC-2B3-25E325.000000
- SIT8208AC-23-18S-18.432000
- LCD-S401C71TR
- 531AB175M000DG
- S2M025T-27.000-X-R
- SG-8018CB 14.1000M-TJHPA0
- 4-2842284-2
- PT300-1200HM
- 633L20005C2T
- 622-M25-260-WN6
- 630-5W5-240-4N1
- 750318463
- EJH-110-01-SM-D-TH
- HLMP-2770
- XPGWHT-L1-0000-00AF8