MSCC60AM23C4AG

主要设计用于30 - 200 MHz的宽带大信号输出和驱动级。N沟道增强型MOSFET。保证在150 MHz、28 Vdc条件下的性能。输出功率 = 45 W。功率增益 = 17 dB（最小值）。效率 = 60%（最小值）。热稳定性优异，非常适合A类工作。便于手动增益控制、自动电平控制（ALC）和调制技术的实现。在所有相位角下，电压驻波比（VSWR）为30:1时进行100%负载失配测试。低反向传输电容（Crss） - 在VDS = 28 V时为8 pF。顶部金属采用镀金工艺。适用于工业、商业和业余无线电设备功率放大器应用的典型数据。

• RDSon随温度变化的稳定性
• 高雪崩性能 - 单脉冲雪崩耐量(UIS)和重复雪崩耐量
• 长短路耐受时间
• 内部体二极管无寿命衰减
• 衬底和外延材料有多个合格供应商
• 具备双重制造能力
• 无产品停产政策
• 交货周期有竞争力
• 广泛的功率开关产品组合 - 分立器件、芯片和模块
• 微芯科技的全面系统解决方案(TSS) - 功率级、栅极驱动器和控制解决方案
• 在、、工业和汽车领域拥有专业知识和支持体系

• 商用:作动系统、空调、配电
• 工业:电机驱动、焊接、不间断电源(UPS)、开关模式电源、感应加热
• 交通/汽车:电动汽车(EV)电池充电器、混合动力汽车(HEV)动力系统、DC-DC转换器、能量回收
• 智能能源:光伏(PV)逆变器、风力发电机
• 医疗:核磁共振成像(MRI)电源、X光电源
• 数据中心:不间断电源、电源分配单元(PDU)、电源供应器(PSU)(PFC/LLC)