商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 500mV | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 500uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| FET类型 | N沟道 |
- 980-0000-180
- SIT1602BI-81-25E-38.400000
- D12K800E
- 660-004NF18S4-02
- 809-166-NF9
- SIT8008BI-32-25E-100.000000
- M24308/4-441F
- 628-43W2222-2T2
- SG-8018CE 25.0880M-TJHPA0
- 3305-1-15-15-47-27-10-0
- 09662526617
- SIT9365AI-2E3-33N166.666666
- AWVS008080401R5T00
- SG-8018CG 1.2200M-TJHPA0
- TLE5012BE1000MS2GOTOBO1
- MS27510A12C
- SIT1602BC-23-18E-24.000000
- A177M
- SIT8008BC-81-YYE-25.000000
- 5502404805F
- M55-8206842