IS66WVS1M8BLL-104NLI-TR
8Mb串行RAM,1.8V/3.0V,104MHz,SPI和QPI协议
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- 描述
- 集成内存设备包含 8Mb 伪静态随机存取存储器,采用自刷新 DRAM 阵列,组织为 1M 字 x 8 位。该设备支持 SPI(串行外设接口)和 QPI(四路外设接口)协议,信号引脚数量极少(6 个信号引脚:CLK、CE# 和 4 个 SIO),具有隐藏刷新操作,适用于工业温度和汽车 A2 级温度范围。支持带内复位,而非专用的 RESET# 引脚,最小传输数据大小为 8 位。
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS66WVS1M8BLL-104NLI-TR
- 商品编号
- C17452695
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | SPI;QPI | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 7ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 8mA;15mA | |
| 待机电流 | 200uA |
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