我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
IS66WVS1M8BLL-104NLI-TR实物图
  • IS66WVS1M8BLL-104NLI-TR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS66WVS1M8BLL-104NLI-TR

8Mb串行RAM,1.8V/3.0V,104MHz,SPI和QPI协议

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
集成内存设备包含 8Mb 伪静态随机存取存储器,采用自刷新 DRAM 阵列,组织为 1M 字 x 8 位。该设备支持 SPI(串行外设接口)和 QPI(四路外设接口)协议,信号引脚数量极少(6 个信号引脚:CLK、CE# 和 4 个 SIO),具有隐藏刷新操作,适用于工业温度和汽车 A2 级温度范围。支持带内复位,而非专用的 RESET# 引脚,最小传输数据大小为 8 位。
品牌名称
ISSI(美国芯成)
商品型号
IS66WVS1M8BLL-104NLI-TR
商品编号
C17452695
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型SPI;QPI
存储容量8Mbit
工作电压2.7V~3.6V
属性参数值
读写时间7ns
工作温度-40℃~+85℃
工作电流8mA;15mA
待机电流200uA

数据手册PDF