- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 1kW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 300A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 640A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.05V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 740nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 9.2nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 600pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 540pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 290ns | |
| 导通损耗(Eon) | 12.6mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 4.8mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 155ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
相臂和双共发射极功率模块。高速沟槽式场截止型IGBT4（Q1、Q2）：VCES = 1200V；IC = 200A，@Tc = 80°C。沟槽式场截止型IGBT3（Q3、Q4）：VCES = 600V；IC = 100A，@Tc = 80°C。
商品特性
- Q1、Q2（高速沟槽式场截止型IGBT4）
- Q3、Q4（沟槽式场截止型IGBT3）：低压降、低尾电流、低漏电流，具备RBSOA和SCSOA额定值
- 开尔文发射极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 高度集成
应用领域
不间断电源
- IS01EBFRGB
- FDMM01SFR
- GCM1885G2A150JA16J
- TFM-118-01-L-D-RA
- 663-025-264-035
- SIT1602BC-72-33N-62.500000
- 832-10-016-20-052000
- 390
- M6P-CAS2-12EY
- SIT1602BC-81-30S-24.576000
- 76602-105LF
- LTMM-105-02-F-D-SM
- P16NM471MAB15
- 620AS028Z114L
- 630-5W5-250-2T3
- 637E14853I2T
- SIT8008BCL12-33E-78.590000
- SIT8208AI-G2-33E-38.000000Y
- ECX-H23CM-106.250
- 3-2323743-0
- XHP70D-H0-B001-AD0UK40E2