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APTGLQ200HR120G实物图
  • APTGLQ200HR120G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

APTGLQ200HR120G

APTGLQ200HR120G

商品型号
APTGLQ200HR120G
商品编号
C17451409
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)1kW
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
属性参数值
集电极电流(Ic)300A
栅极阈值电压(Vge(th))-
输入电容(Cies)9.2nF@25V
工作温度-40℃~+175℃@(Tj)

商品概述

相臂和双共发射极功率模块。高速沟槽式场截止型IGBT4(Q1、Q2):VCES = 1200V;IC = 200A,@Tc = 80°C。沟槽式场截止型IGBT3(Q3、Q4):VCES = 600V;IC = 100A,@Tc = 80°C。

商品特性

  • Q1、Q2(高速沟槽式场截止型IGBT4)
  • Q3、Q4(沟槽式场截止型IGBT3):低压降、低尾电流、低漏电流,具备RBSOA和SCSOA额定值
  • 开尔文发射极,便于驱动
  • 极低的杂散电感
  • 高度集成

应用领域

不间断电源

数据手册PDF