商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 910mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
主要为2.0至100 MHz频率范围内的线性大信号输出级而设计。
商品特性
- 低导通电阻
- 内置栅源保护二极管
- 小型表面贴装封装(TUMT6)
- 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
应用领域
-开关应用
- 370-10-143-00-001101
- 2105-2-01-80-00-00-07-0
- MP1-L-0750-203-5%-RH
- SG-8018CG 105.6300M-TJHPA0
- ISL69254IRAZ
- SIT8208AI-8F-25S-54.000000T
- 34215
- B6S-G
- PTKM200-50
- LTMM-104-02-G-D-SM-LC
- MLBAWT-U1-0000-000UA8
- MAX2010EVKIT
- SG-8018CG 100.1000M-TJHPA0
- DDU50PBFK87
- 832-10-066-10-052000
- 6291
- 5522213100F
- SIT1602BI-33-XXN-33.330000
- SIT9367AE-2BF-30E700.000000
- SIT1602BC-81-30N-66.600000
- 141A10459X