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ACNW3410-000E

3A输出电流IGBT栅极驱动光耦，具备100kV/μs抗噪能力

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品牌名称: Broadcom(博通)
商品型号: ACNW3410-000E
商品编号: C17451013
商品封装: DIP-8
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

该器件包含一个LED，该LED通过光耦合方式连接至一个带有功率输出级的集成电路。这款光耦合器非常适合用于驱动电机控制逆变器应用中的IGBT和功率MOSFET。其100 kV/μs的抗噪声能力可防止在嘈杂的工业环境中出现误驱动。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动IGBT。该器件在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准下具有最高的绝缘电压，VIORM = 1414 Vpeak。

商品特性

3.0 A最大峰值输出电流
轨到轨输出电压
带VE基准的欠压锁定，适用于负电源
150 ns最大传播延迟
90 ns最大传播延迟差
带迟滞的LED电流输入
在VCM = 1500V时，最小共模抑制为100 kV/μs
最大供电电流ICC = 5.0 mA
带迟滞的欠压锁定保护
宽工作VCC范围：15V至30V
工业温度范围：-40℃至105℃
安全认证

应用领域

IGBT/MOSFET门极驱动
交流和无刷直流电机驱动
可再生能源逆变器
工业逆变器
开关电源

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	逻辑输出光耦
	工作电压	1.45V
	隔离电压(Vrms)	5kV

	属性	参数值
	通道数	1
	工作温度	-40℃~+105℃
	功能特性	内置施密特触发器；欠压锁定