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MMDT5401Q-7-F引脚图
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MMDT5401Q-7-F

MMDT5401Q-7-F

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
MMDT5401Q-7-F
商品编号
C17449505
商品封装
SOT-363​
包装方式
编带
商品毛重
0.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)200mA
集射极击穿电压(Vceo)150V
耗散功率(Pd)320mW
直流电流增益(hFE)60
属性参数值
特征频率(fT)300MHz
集电极截止电流(Icbo)50nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
工作温度-55℃~+150℃
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量2个PNP

商品概述

这款双极结型晶体管(BJT)旨在满足汽车应用的严格要求。

商品特性

  • 外延平面芯片结构
  • 有互补的 NPN 类型(MMDT5551Q)可供选择
  • 非常适合中功率放大和开关应用
  • 超小型表面贴装封装,完全无铅且符合 RoHS 标准
  • 无卤素和锑,是“绿色”器件
  • 通过 AEC - Q101 标准认证,具备高可靠性和生产件批准程序(PPAP)能力

数据手册PDF