商品参数
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| 功能特性 | - |
商品概述
PE4245射频开关设计用于覆盖从接近直流到4000 MHz的广泛应用。该开关将板载CMOS控制逻辑与低电压CMOS兼容控制输入集成在一起。使用+3伏标称电源电压,可实现+25 dBm的1 dB压缩点。PE4245在1000 MHz时还具有优于42 dB的出色隔离度,并采用3×3 mm的DFN小封装。PE4245采用pSemi的UltraCMOS工艺制造,这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅(SOI)技术的专利变体,兼具砷化镓的性能和传统CMOS的经济性与集成性。
商品特性
- 单3.0V电源
- 低插入损耗:1000 MHz时为0.6 dB,2000 MHz时为0.7 dB
- 高隔离度:1000 MHz时为42 dB,2000 MHz时为32 dB
- 典型1 dB压缩点为+25 dBm
- 单引脚CMOS逻辑控制
- 提供6引脚DFN封装
- SIT9365AC-1E2-25E74.175824
- MAX951ESA+T
- 1N6478-E3/97
- 15477620
- CT9555F-181-TV
- SIT8209AI-21-18E-133.300000
- 09152006123
- TFM-130-13-L-D
- TFML-110-02-H-D-P-TR
- 516-056-540-256
- XPLBWT-00-0000-000UU430H
- AWVH00201610R56MH1
- IPL1-120-01-S-D-P
- MS3437B31A
- 0050557160
- COMT-S038A-L868EU
- SIT8208AC-31-33S-33.333300
- ATM06-6S-CAP
- 260A6
- 172-E50-203R001
- TEF6617T/V1518

