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NXH300B100H4Q2F2S1G引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NXH300B100H4Q2F2S1G

NXH300B100H4Q2F2S1G

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NXH300B100H4Q2F2S1G
商品编号
C17446058
商品封装
Q2PACK-53(47x93)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)194W
集射极击穿电压(Vces)1.118kV
集电极电流(Ic)73A
集电极脉冲电流(Icm)219A
集电极截止电流(Ices)-
集射极饱和电压(VCE(sat))1.8V
栅极阈值电压(Vge(th))2.25V@15V,100A
栅极电荷量(Qg)340nC@600V
属性参数值
输入电容(Cies)6.323nF@20V
输出电容(Coes)241uF
反向传输电容(Cres)34uF
开启延迟时间(Td(on))95ns
关断延迟时间(Td(off))267ns
导通损耗(Eon)1.03mJ
关断损耗(Eoff)1.2mJ
反向恢复时间(Trr)15ns
工作温度-40℃~+175℃@(Tj)

商品特性

  • 采用高效沟槽场截止技术
  • 低开关损耗可降低系统功耗
  • 模块设计提供高功率密度
  • 低感抗布局
  • Q2BOOST封装内集成3通道
  • 符合无铅器件标准

应用领域

  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源

数据手册PDF