商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.35kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 175pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 950pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。
商品特性
- 规定50伏、30 MHz特性
- 输出功率 = 600瓦
- 功率增益 = 17 dB(典型值)
- 效率 = 45%(典型值)
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