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LS26VNS DFN 8L ROHS

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描述: LS26VNS是一款N-Channel单个JFET电压控制电阻，特别适用于需要高阻抗门组件的应用。其漏源电阻由漏源电压控制，最小RDS为14Ω，当Vgs = -1.0V时。RDS在Vgs接近-6.0V时迅速增加到最大值38Ω。
品牌名称: ADI(亚德诺)
商品型号: LS26VNS DFN 8L ROHS
商品编号: C17443937
商品封装: DFN-8(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.041克(g)

商品参数

商品概述

LS26VNS N沟道单结型场效应管（JFET）电压控制电阻器的漏源电阻由施加到高阻抗栅极端子的直流偏置电压（VGS）控制。当VGS = -1.0V时，最小RDS为14欧姆。当VGS接近-6.0V的夹断电压时，RDS迅速增加到最大值，即RDS（上划线） = 38欧姆。LS26VNS特别适用于漏源电压为无直流分量的低电平交流信号的应用。该器件的关键性能是在VGS电压不变的情况下，RDS可从14欧姆变化到38欧姆。LS26VNS有TO - 92（3引脚）、SOT - 23（3引脚）和小尺寸DFN（8引脚）封装。

商品特性

连续电压控制电阻
高关断隔离
高输入阻抗
增益调节能力
简化驱动电压能力
无电路交互
宽范围信号衰减
增益调节
简化栅极驱动
高击穿电压
无电路交互

应用领域

可变增益放大器、自动增益控制、压控振荡器、小信号衰减、滤波器范围控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	结型场效应管(JFET)
	数量	1个N沟道
	栅源截止电压(VGS(off))	6V
	栅源击穿电压(Vgss)	40V
	耗散功率(Pd)	350mW
	导通电阻(RDS(on))	14Ω
	漏源电流(Idss)	-

	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	13pF
	工作温度	-55℃~+135℃
	配置	-
	输出电容(Coss)	-
	反向传输电容(Crss)	3.6pF
	FET类型	N沟道