PJS6601-AU_S1_000A1
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
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- 描述
- 特性:先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等特殊设计。 通过AEC-Q101认证。 符合欧盟RoHS 2.0的无铅标准。 采用符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJS6601-AU_S1_000A1
- 商品编号
- C17442236
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.138克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@1.8V,1.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 416pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 43pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
总价金额:
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- C3292-100.000
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