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PJS6601-AU_S1_000A1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PJS6601-AU_S1_000A1

1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A

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描述
特性:先进的沟槽工艺技术。 专为开关负载、PWM应用等特殊设计。 通过AEC-Q101认证。 符合欧盟RoHS 2.0的无铅标准。 采用符合IEC 61249标准的绿色模塑料
品牌名称
PANJIT(强茂)
商品型号
PJS6601-AU_S1_000A1
商品编号
C17442236
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.138克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))190mΩ@1.8V,1.1A
耗散功率(Pd)1.25W
阈值电压(Vgs(th))1.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)5.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)416pF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)43pF

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
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