IRFBC30SPBF
1个N沟道 耐压:600V 电流:3.6A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRFBC30SPBF
- 商品编号
- C17441065
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
一款适用于广播发射机和工业应用的200 W LDMOS射频功率晶体管。该晶体管适用于高频至1500 MHz的频率范围。该器件出色的耐用性和宽带性能使其非常适合数字应用。
商品特性
-表面贴装(IRFBC30S、SiHFBC30S)-薄型通孔(IRFBC30L、SiHFBC30L)-提供卷带包装(IRFBC30S、SiHFBC30S)-动态dv/dt额定值-工作温度150 °C-快速开关-全雪崩额定
应用领域
- 高频至1500 MHz频率范围内的通信发射机应用
- 高频至1500 MHz频率范围内的工业应用
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