温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJ952EP-T1_GE3
2个N沟道 耐压:60V 电流:23A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101认证。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ952EP-T1_GE3
- 商品编号
- C17440908
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V,10.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 156pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单