- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJ952EP-T1_GE3
2个N沟道 耐压:60V 电流:23A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 AEC-Q101认证。 100% Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ952EP-T1_GE3
- 商品编号
- C17440908
- 商品封装
- PowerPAKSO-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 156pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准且无卤
- N沟道MOSFET
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电机控制
- TFM-110-32-S-D-A-P-TR
- EJH-105-01-S-D-SM-K-TR
- SIT8208AI-2F-25S-66.000000T
- SHUTTLE BOARD 3.0 BMA456
- 516-038-000-626
- 629-M50-640-LN4
- CWX813-044.736M
- XPGBWT-UE-0000-00GE3
- SG-8018CA 155.518750M-TJHSA0
- XTEAWT-00-0000-00000BCEA
- GCM3195C1J163JA16D
- 634-015-663-055
- S73305T-26.000-X-R
- BA159GH
- SG-8018CG 144.4880M-TJHSA0
- V14447-03-02
- ECS-3951M-040-AU-TR
- SI8235AD-AS3R
- MLEAWT-A1-0000-0002E8
- SIT8208AC-3F-28E-33.330000T
- MLEAWT-P1-0000-0001F6