1N821E3/TR

5.9V 2uA@3V

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: 1N821E3/TR
商品编号: C17440646
商品封装: DO-35(DO-204AH)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.149克(g)

商品参数

商品概述

该齐纳二极管是单片温度补偿齐纳参考芯片，所有结均采用二氧化硅完全保护，电气性能等同于1N821至1N829，除回流焊外与所有引线键合和芯片粘贴技术兼容。工作温度范围为 -65°C至 +175°C，储存温度范围同样为 -65°C至 +175°C。反向泄漏电流在25°C且反向电压为3V直流时为2μA。齐纳阻抗是通过在齐纳测试电流上叠加一个等于其10%的60Hz均方根交流电流得出。二极管电压在整个温度范围内的最大允许变化不超过JEDEC标准No.5规定的毫伏数。芯片正面金属化，阴极、阳极和测试焊盘均为铝，背面为金，铝厚度最小25,000Å，金厚度最小4,000Å，芯片厚度为0.010英寸（0.25 mm）±0.002英寸（±0.05 mm）。

商品特性

单片温度补偿齐纳参考芯片
所有结采用二氧化硅完全保护
电气性能等同于1N821至1N829
除回流焊外与所有引线键合和芯片粘贴技术兼容

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	稳压二极管
	二极管配置	1个独立式
	稳压值(标称值)	5.9V
	反向电流(Ir)	2uA@3V
	稳压值(范围值)	5.9V~6.5V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	500mW
	阻抗(Zzt)	10Ω
	阻抗(Zzk)	-
	工作结温范围	-65℃~+175℃
	精度	-