商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+225℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
- VS-40HFLR80S05M
- HTST-128-01-L-DV
- EVK-YIC51612EBGG-33
- SIT9365AI-2B2-30E75.000000
- 1731091927
- SIT9122AI-2B3-25E266.666000
- 5200.0143.1
- SIT1602BC-83-25N-4.096000
- 0035.1342
- 310001190002
- RSF1A-914-JBW
- SIT8008AC-13-18E-57.000000
- 37104-A124-00E MB
- 61030000072
- SIT8208AI-83-28E-4.096000
- SG-310SCF 32.0000MM
- 3QHM572C0.5-24.000
- D38999/26ZJ19AE
- 6609018-6
- 5-292254-3
- 620HS003NF13