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DMN32D4SDW-13
2个N沟道 耐压:30V 电流:650mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN32D4SDW-13
- 商品编号
- C17436080
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 650mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 栅极带有ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 电机控制
- 电源管理功能
- DC-DC转换器
- 背光照明
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- TSD3G