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ALD810025/ALD910025 是 ALD8100xx（四通道）和 ALD9100xx（双通道）超级电容器自动平衡 MOSFET（即 SAB™ MOSFET）系列的成员。SAB MOSFET 采用经过生产验证的 EPAD® 技术制造，旨在解决串联连接的超级电容器的电压和漏电流平衡问题。超级电容器，也称为超电容器或超级电容，通过在每个超级电容器组两端连接一个或多个器件的组合来平衡漏电流，以防止过压。 ALD810025 为四个 SAB MOSFET 器件各自提供了一组独特、精确的工作电压和电流特性。它可用于平衡多达四个串联连接的超级电容器。ALD910025 为其两个 SAB MOSFET 器件各自提供了一组独特的精确工作电气特性，适用于多达两个串联连接的超级电容器。 每个 SAB MOSFET 在 Vt 模式下具有精确的栅极阈值电压，当栅 - 漏源极端子（VGS = VDS）在漏源电流 IDS(ON) = 1μA 时连接在一起，该阈值电压为 2.50V。不同的 VIN 会产生输出电流 IOUT = IDS(ON) 特性，并形成一个有效可变电阻，其阻值随 VIN 呈指数变化。当该 VIN 施加于串联的每个超级电容器两端时，可将每个超级电容器的电压和电流平衡在其限制范围内。 当向 ALD810025/ALD910025 施加 VIN = 2.50V 时，其 IOUT 为 1μA。VIN 增加 100mV 至 2.60V 时，IOUT 约增加十倍。对于 ALD910025，VIN 再增加至 2.72V（ALD810025 为 2.74V）时，IOUT 增加一百倍，达到 100μA。相反，VIN 降低 100mV 至 2.40V 时，IOUT 降至先前值的十分之一，即 0.1μA。输入电压再降低 100mV，IOUT 将降至 0.01μA。因此，当 ALD810025/ALD910025 SAB MOSFET 连接在充电至低于 2.30V 的超级电容器两端时，基本上不消耗功率。 ALD810025/ALD910025 的导通电阻随电压变化的特性，在连接到超级电容器两端时，能有效控制其两端的过度电压上升。在串联的超级电容器组中，当一个超级电容器电压升高时，其他超级电容器的电压下降，漏电流最大的超级电容器电压最低。连接在这些超级电容器两端的 SAB MOSFET 将呈现互补的反向电流水平，除了超级电容器自身产生的漏电流外，几乎不会产生额外的漏电流。

• 符合AEC-Q101标准
• 3.0 V栅极驱动电压
• 内置齐纳二极管和电阻

• 继电器驱动器