商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 其他模块 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
PE42359 UltraCMOS射频开关设计用于覆盖10 MHz至3 GHz的广泛应用范围。这款反射式开关将板载CMOS控制逻辑与低电压CMOS兼容控制接口集成在一起,可使用单引脚或互补控制输入进行控制。使用标称+3伏电源电压时,典型输入1 dB压缩点可达+33.5 dBm。PE42359还符合汽车应用的质量和性能标准,并获得了AEC-Q100 2级认证。PE42359采用pSemi的UltraCMOS工艺制造,这是一种在蓝宝石衬底上的绝缘体上硅(SOI)技术的专利变体,兼具砷化镓的性能以及经济性和集成性。
商品特性
- 通过AEC-Q100 2级认证,支持高达+105℃的工作温度
- 单引脚或互补CMOS逻辑控制输入
- 低插入损耗:在1000 MHz时为0.35 dB,在2000 MHz时为0.50 dB
- 在1000 MHz时隔离度为30 dB
- 高ESD耐受性,可达2 kV HBM
- 典型输入1 dB压缩点为+33.5 dBm
- 最小电源电压为1.8V
- AFCT-57V6NSZ-C
- RC0603F3160CS
- SG-8018CG 16.0972M-TJHSA0
- TFM-110-02-H-D-WT-P-TR
- RD37S1F00X/AA
- QTM252J-155.520MBJ-T
- BPRR001010516R8M00
- 629-17W2640-5NA
- XPPAWT-H0-0000-000UT40E7
- XPEWHT-01-0000-00BC2
- DG12-CBDWM030C0-000-C6135-321-1000-00
- VAOL-S1513RGB
- DTC115EUAT106
- SG-8018CE 4.1472M-TJHSA0
- PL9205NLT
- RCS1608F4751CS
- K88X-BD-25P-K
- MLBAWT-A1-0000-0000E2
- XPGBWT-01-0000-00EE5
- ADTC143TCAQ-7
- L128-2280HA35000B1

