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APTM10AM02FG

2个N沟道耐压:100V 电流:495A

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APTM10AM02FG
商品编号: C17435289
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

PD20015C是一款共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管。它专为高增益、宽带商业和工业应用而设计。在共源极模式下，它可在最高2 GHz的频率和13.6 V电压下工作。PD20015C具备意法半导体（ST）最新LDMOS技术所带来的出色增益、线性度和可靠性。PD20015C卓越的线性度性能使其成为移动应用的理想解决方案。

商品特性

功率MOS V FREDFETs
低导通电阻RDSon
低输入电容和米勒电容
低栅极电荷
雪崩能量额定值
快速本征二极管
坚固耐用
开尔文源极,便于驱动
极低杂散电感
对称设计
M5电源连接器
高度集成

应用领域

-焊接转换器-开关电源-不间断电源-电机控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	495A
	导通电阻(RDS(on))	2.5mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	1.25kW
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	1.36uC@10V
	输入电容(Ciss)	40nF
	反向传输电容(Crss)	5.9nF
	工作温度	-40℃~+150℃
	配置	-
	类型	-
	输出电容(Coss)	15.7nF